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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
3372
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
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