RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Compara
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Puntuación global
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Puntuación global
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
71
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
71
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.7
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2726
1767
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link