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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Compara
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Puntuación global
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Puntuación global
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
38
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2317
2808
Kingston KP4T2F-PSB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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