RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
51
En -168% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
19
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3801
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link