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Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Compara
Mushkin 991586 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Mushkin 991586 2GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991586 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2156
2584
Mushkin 991586 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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