RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Compara
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1982
3324
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link