RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB против Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
41
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.2
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1982
3324
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link