RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
37
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
3256
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9965516-048.A00LF 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link