RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
37
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2935
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link