RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
11.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
92
En -229% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.0
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
1426
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link