RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
92
Wokół strony -229% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1426
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link