RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
71
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
71
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
1757
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link