RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
54
En -170% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
20
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
3703
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link