Comparación de la memoria RAM PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Puntuación global

PNY Electronics PNY 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 29

En 7% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

22.8 13.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

16.9 8.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 10600

En 2.01 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

PNY Electronics PNY 2GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2274 3792

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns