RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3085
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link