RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3085
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link