RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Compara
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
51
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
51
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2753
2687
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link