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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Puntuación global
star star star star star
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Puntuación global
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Razones a tener en cuenta
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.7 left arrow 15.5
    Valor medio en las pruebas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.0 left arrow 10.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 12800
    En 2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    38 left arrow 38
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.7 left arrow 15.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.0 left arrow 12.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2753 left arrow 2283

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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