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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Motivi da considerare
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.7 left arrow 15.5
    Valore medio nei test
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.0 left arrow 10.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 12800
    Intorno 2 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    38 left arrow 38
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.7 left arrow 15.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.0 left arrow 12.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2753 left arrow 2283

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Confronto tra le RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti

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Memoria RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Memoria RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
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Memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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UMAX Technology 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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