RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Puntuación global
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
71
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
71
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
1767
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link