RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
51
En 49% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
51
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1932
2687
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link