RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
51
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
2687
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Team Group Inc. 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link