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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.0
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
2728
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
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