RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
29
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
23
Velocidad de lectura, GB/s
9.0
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
2935
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link