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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
53
En 45% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.1
9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
53
Velocidad de lectura, GB/s
9.0
10.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
2319
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
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