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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
25
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
21
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3350
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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