RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
25
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3350
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link