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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
25
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
17
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
22.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3731
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
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