RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
17
25
周辺 -47% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
22
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.0
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
17
読み出し速度、GB/s
16.1
22.0
書き込み速度、GB/秒
10.1
17.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3731
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
バグを報告する
×
Bug description
Source link