RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
59
En -40% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
42
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2737
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link