Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Средняя оценка

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,123.3 11.9

Среднее значение в тестах

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

42 59

Около -40% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 42
Скорость чтения, Гб/сек

4,833.8 15.7
Скорость записи, Гб/сек

2,123.3 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

731 2737

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Kingston 9905630-018.A00G 8GB

Kingston 9905630-018.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB

A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB

Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB

модули RAM