RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
58
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3278
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link