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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
58
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
13.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3278
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
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