RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
68
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
68
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
1904
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link