RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
68
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
68
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1904
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link