RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3222
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link