RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
46
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
33
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2702
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link