RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
46
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
33
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2702
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link