RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2759
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link