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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
46
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
28
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2759
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
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