RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
65
En -171% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3089
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link