RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3089
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link