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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Compara
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Puntuación global
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
56
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
1,501.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
45
Velocidad de lectura, GB/s
3,161.0
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,501.2
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
381
2036
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
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Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
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