RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.0
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1393
3561
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link