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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3683
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
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