RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
71
En 61% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
5.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
71
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
5.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
1344
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link