RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
34
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3040
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link