RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
16.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3741
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link