RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
17.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3963
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link