Comparación de la memoria RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Puntuación global

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 30

En 7% menor latencia

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

16.3 12.7

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.2 7.5

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

23400 8500

En 2.75 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1066 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1988 2761

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns